元器件一旦坏了，千万不要敬而远之，而应该如获至宝。
开车的人都知道，哪里最能练出驾驶水平？高速公路不行，只有闹市和不良路况才能提高水平。社会的发展就是一个发现问题解决问题的过程，出现问题不可怕，但频繁出现同一类问题是非常可怕的。
失效分析是对失效电子元器件进行诊断过程。为了确定失效模式（观察到的失效现象、失效形式，如开路、短路、参数漂移、功能失效等）和失效机理（指失效的物理化学过程，如疲劳、腐蚀和过应力等），提出纠正措施，防止这种失效模式和失效机理的重复出现，我们就需要进行失效分析。
进行失效分析时往往需要进行电测量，后采用先进的物理、冶金及化学的分析手段。
失效分析的一般程序
1、收集现场场数据
2、电测并确定失效模式
3、非破坏检查
4、打开封装
5、镜验
6、通电并进行失效定位
7、对失效部位进行物理、化学分析，确定失效机理。
8、综合分析，确定失效原因，提出纠正措施。
1、收集现场数据：
应力类型 | 试验方法 | 可能出现的主要失效模式 |
电应力 | 静电、过电、噪声 | MOS器件的栅击穿、双极型器件的pn结击穿、功率晶体管的二次击穿、CMOS电路的闩锁效应 |
热应力 | 高温储存 | 金属－半导体接触的Al－Si互溶，欧姆接触退化，pn结漏电、Au-Al键合失效 |
低温应力 | 低温储存 | 芯片断裂 |
低温电应力 | 低温工作 | 热载流子注入 |
高低温应力 | 高低温循环 | 芯片断裂、芯片粘接失效 |
热电应力 | 高温工作 | 金属电迁移、欧姆接触退化 |
机械应力 | 振动、冲击、加速度 | 芯片断裂、引线断裂 |
辐射应力 | X射线辐射、中子辐射 | 电参数变化、软错误、CMOS电路的闩锁效应 |
气候应力 | 高湿、盐雾 | 外引线腐蚀、金属化腐蚀、电参数漂移 |
2、电测并确定失效模式
电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。
连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。这类失效容易测试，现场失效多数由静电放电（ESD）和过电应力（EOS）引起。
电参数失效，需进行较复杂的测量，主要表现形式有参数值超出规定范围（超差）和参数不稳定。
确认功能失效，需对元器件输入一个已知的激励信号，测量输出结果。如测得输出状态与预计状态相同，则元器件功能正常，否则为失效,功能测试主要用于集成电路。
三种失效有一定的相关性,即一种失效可能引起其它种类的失效。功能失效和电参数失效的根源时常可归结于连接性失效。在缺乏复杂功能测试设备和测试程序的情况下，有可能用简单的连接性测试和参数测试方法进行电测，结合物理失效分析技术的应用仍然可获得令人满意的失效分析结果。
3、非破坏检查
名称 | 应用优势 | 主要原理 |
X射线透视技术 | 以低密度区为背景，观察材料的高密度区的密度异常点 | 透视X光的被样品局部吸收后成象的异常 |
反射式扫描声学显微术（C－SAM） | 以高密度区为背景，观察材料内部空隙或低密度区 | 超声波遇空隙受阻反射 |
X-Ray检测，即为在不破坏芯片情况下，利用X射线透视元器件（多方向及角度可选），检测元器件的封装情况，如气泡、邦定线异常，晶粒尺寸，支架方向等。
适用情境：检查邦定有无异常、封装有无缺陷、确认晶粒尺寸及layout
优势：工期短，直观易分析
劣势：获得信息有限